求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：
* v* l2 N8 E" x, r3 Q
+ j5 `6 c. V7 i
4 I! A& R: |3 n在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
1.
* o! M* v  n; k( O2 \' P! J分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
) _: w/ ]. k& D# M! B2 N2.
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
3 ]' ^7 J. D  V: w3.
" z# J3 D* t& j9 F7 D如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
5 t/ \6 a/ X/ w& T- v7 aNi＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
硅材料 Nc＝2.8*1019
3 R& E- J- S8 H  m7 F3 bNv＝1.04*1019
e＝1.6*10－19C
- E! \& o8 w0 B( [& ?, ?9 }2 |KB＝1.38*10－23J/K

$ A% H9 g9 X( Y5 X4 X
$ V- U- P3 a& Z& f7 o: q# f
: @  D3 S& \- l8 K0 k- [
1 F0 q- P5 [1 e好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!